Samsung元幹部らが10nm DRAM技術を中国に漏えいした疑いで起訴される

韓国当局が、Samsungから情報を持ち出して中国企業に漏えいさせた疑いで元Samsungの幹部ら10名を起訴したと発表しました。

전직 삼성 임직원 등 10명, 10나노급 D램 공정 유출 혐의 기소 < 반도체 < 기사본문 - 디일렉(THE ELEC)
https://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=50135

Samsung executives and employees indicted over leaking 10nm DRAM technology to China - Neowin
https://www.neowin.net/news/samsung-executives-and-employees-indicted-over-leaking-10nm-dram-technology-to-china/

2025年12月23日、ソウル中央地検情報技術犯罪捜査部が、中国企業のChangXin Memory Technologies(CXMT)で10nm級DRAM技術開発を総括していた人物および4名の開発者を逮捕・起訴し、その他開発部門責任者5名を在宅起訴したことを明らかにしました。

検察当局によると、起訴された人物の1人はSamsungの元主要研究員で、2016年にCXMTから引き抜かれた際に10nm級DRAM技術の情報を手書きで書き写して流出させたとのこと。検察当局は、この情報を基にCXMTがDRAM技術の基盤を築いたとみています。

また、別の人物は韓国企業SKハイニックスの関係会社を通じてSKハイニックスの主要技術を流出させた疑いが持たれています。

検察当局は「CXMTは中国政府から2兆6000億ウォン(約2800億円)の投資を受ける中国初・唯一のDRAM半導体会社である。同社は韓国の半導体核心技術を不正使用し、世界最高水準のDRAMプロセス技術を確保して高帯域幅メモリ(HBM)開発の足場を整えた」と指摘。「Samsungを含む国内半導体業界の損害は少なくとも数十兆ウォン(数兆円)におよぶと予想される」と付け加えました。

CXMTは2025年1月時点で、アメリカによる輸出規制にもかかわらず半導体製造技術をさらに進歩させたことが分かっていました。Bloombergによると、CXMTが開発するDDR5メモリには中国国内市場ではこれまで見られなかった高度な製造技術が用いられていたそうで、Bloombergに情報を提供したTechInsightsは、「CXMTは商業規模でDDR5 DRAMを設計・製造するための独自のアプローチを見出したということになります。今回の発見には驚いています」と言及していました。

DRAMの価格が2025年5月からわずか1カ月で2倍に上昇し高止まり、中国のCXMTがDDR4の生産を停止しDDR5とHBMに注力するのではないかという憶測 - GIGAZINE