2024年06月20日 11時17分ハードウェア

ついにIntelが3nm相当のプロセスルール「Intel 3」での大量生産を開始

Intelが「Intel 3」プロセスでの大量生産開始を報告しました。Intel 3プロセスで製造する半導体は前世代のIntel 4と比べて消費電力当たりの処理性能が18％向上しているそうです。

Intel Delivers Leading-Edge Foundry Node with Intel 3 Technology; on Path Back to Process Leadership - Intel Community
https://community.intel.com/t5/Blogs/Intel-Foundry/Intel-Foundry/Intel-Delivers-Leading-Edge-Foundry-Node-with-Intel-3-Technology/post/1607454

Intelは「Intel 14nm」「Intel 10nm」といったように「Intel ○○nm」という命名規則で半導体プロセスルールの名前を付けていましたが、2021年に「Intel 7」「Intel 4」「Intel 3」「Intel 20A」といった新たな命名規則を発表しました。Intelによると、Intel社内で10nmと呼んでいたプロセスルールは他社の7nmに、7nmと呼んでいたプロセスルールは他社の4nmや3nmに相当するとのこと。つまり、IntelはTSMCなどのライバル企業に合わせて「他社の7nm相当のプロセスルールはIntel 7」「他社の3nm相当のプロセスルールはIntel 3」といったように命名規則を変更したというわけです。

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Intelは2021年に「4年間で5つのプロセスノードを開発する(5N4Y)」という目標を掲げており、すでにIntel 7とIntel 4の大量生産が始まっています。さらに、IntelはIntel 3に対応する半導体製造ラインをオレゴン州とアイルランドの工場に配備し、2023年末までにテスト生産を完了。そして、今回新たにIntelは両工場でIntel 3の大量生産を開始したことを報告しました。

Intel 3で製造されているのはサーバー向けCPU「Xeon 6」シリーズの高効率コアと高性能コアです。

Intelによると、Intel 3の半導体はIntel 4の半導体と比べて消費電力当たりの処理性能が18％向上しているとのこと。

また、IntelはIntel 3のバリエーションとして複数のコンポーネントを1つにまとめるためのシリコン貫通電極を提供する「Intel 3T」、外部インタフェース用のI/Oを追加する「Intel 3E」、Intel 3Eをベースにシリコン貫通電極も追加した「Intel 3PT」の開発も進めています。