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SK Hynixが韓国で約6兆円を投じて半導体製造施設を拡張する計画、龍仁に約4兆円のDRAM工場、清州に約2兆円のNAND製造工場を建設へ


韓国のテクノロジー企業で、Micron・Samsungと並ぶ世界三大メモリチップメーカーであるSK Hynixが、AIメモリ需要に対応する中長期的な生産拠点確保のために54兆ウォン(約6兆円)を投資して新しいメモリチップ工場を建設することを発表しました。

SK hynix Invests 54 Trillion Won in Yongin Y2 and Cheongju M17 to Secure Mid-to-Long-Term Production Base for AI Memory Demand – SK hynix Newsroom
https://news.skhynix.com/en/fab-facility-investment-2026/


SK Hynix to invest $38 billion building new memory chip plants
https://www.cnbc.com/2026/08/07/sk-hynix-memory-chips-ai-prices.html

SK hynix to invest W54tr in new Yongin, Cheongju fabs - The Korea Herald
https://www.koreaherald.com/article/10834499

SK HynixはAI時代におけるメモリ需要の継続的な増加に対応するため、ソウルの南約40kmに位置する龍仁(ヨンイン)の「Y2」工場に35.2兆ウォン(約4兆円)、韓国中央部にある清州(チョンジュ)の「M17」工場に19.1兆ウォン(約2兆円)を投資して新工場としてを建設することを決定したと2026年8月7日に発表しました。


SK Hynixは龍仁半導体クラスターに600兆ウォン(約67兆円)、清州生産拠点の拡張に100兆ウォン(約11兆円)を投資するというマスタープランを掲げており、記事作成時点で龍仁に最初の工場である「Y1」を建設中で、2027年2月のクリーンルーム開設を目指しています。今回の決定により、SK Hynixは龍仁と清州の両方で、後続の工場建設に着手することになります。

今回建設が決定した龍仁の「Y2」は、龍仁半導体クラスター向けに順次建設が計画されている4つの工場のうち2番目の工場で、総床面積34万1000坪(約113万m2)のDRAM生産拠点として建設されます。2027年7月に着工し、2029年6月に最初のクリーンルームを開設して、高帯域幅メモリ(HBM)をはじめとする次世代DRAM製品の生産を開始する予定とのこと。

また、清州には既に「M11」「M12」「M15」のNAND型フラッシュメモリ製造工場があり、既存の操業と連携した効率的な生産が可能で、電力と水道のインフラも十分に整備されていることから、製造工場の建設期間が最も短いと考えられています。新しく建設される「M17」は総面積20万60​​00坪(約68万m2)に建設され、2027年2月に着工、2028年12月に最初のクリーンルームを開設する予定となっています。マスタープランによる投資期間は2031年4月まで。以下は、SK Hynixが公開しているM17工場の完成予想図。


今回の発表についてSK Hynixは「AI時代においては、技術力だけでは不十分であり、顧客が必要とする量を必要な時に正確に供給できる能力こそが究極の競争優位性であると述べています。当社は、市場需要を徹底的に分析した上で、今回の投資決定に至りました」と説明しました。

また、SK Hynixの広報担当者は「今回の投資は、市場の成長に伴う機会を逃さないことを目的としています。需要に先駆けて生産インフラを確保することで、安定したグローバルAI半導体サプライチェーンに貢献する主要なAIインフラパートナーとなることを目指します」と語っています。

市場調査サービス・Counterpoint Researchの共同創設者で調査担当副社長兼のニール・シャー氏は「短期的にはSK Hynixの生産量に変化はありませんが、今回の発表は2029年以降を見据えた計画です。より広い市場を見ると、Samsung・SK Hynix・Micron・CXMTといった複数のベンダーによる拡張により、2028年まで世界の供給量は大幅に増加するでしょう。しかし、需要が計画生産能力よりもさらに速いペースで伸びているため、メモリ価格は2028年末まで軟化する可能性は低いと考えられます」と述べています。

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in AI,   ハードウェア, Posted by log1e_dh

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