東大と産総研、書き込み速度が従来の2倍になった高速なSSDを開発

東京大学と産業技術総合研究所（産総研）が共同で新たなフラッシュメモリを開発したことが明らかになりました。

従来のフラッシュメモリは読み込み速度に対して書き込み速度が遅れを取っている印象がありましたが、このフラッシュメモリを採用したSSDは書き込み速度が従来の2倍になるとのこと。

詳細は以下から。
東大と産総研、ＳＳＤ書き込み高速化－強誘電体ＮＡＮＤフラッシュメモリー:日刊工業新聞

日刊工業新聞社の報道によると、東京大学大学院の竹内健電気系工学専攻准教授と産業技術総合研究所の酒井滋樹フロンティアデバイスグループ長は、新たに不揮発性ページバッファを備えた強誘電体NANDフラッシュメモリを共同開発したそうです。

このフラッシュメモリは新たに開発された「バッチ・ライト・アルゴリズム」と「不揮発性ページバッファ」を採用したもので、書き込み中に電源が切れても、書き込み対象のデータの消失を防ぐことが可能であるほか、同フラッシュメモリを採用したSSDで書き込み速度を従来の2倍にすることに成功したとのこと。

なお、このメモリは本日から開催される「VLSI回路シンポジウム」で発表される予定となっており、5年後をめどに実用化を目指すとされています。