書き込み速度が約1万倍の「次世代メモリー」開発へ、待機時の消費電力もほぼゼロに

従来のNAND型フラッシュメモリーの約1万倍の書き込み速度を実現する「次世代メモリー」の開発が開始されることが明らかになりました。

実現すれば今までとは比べものにならないほどの速度でデータを書き込みできるようになるだけでなく、待機時の消費電力もほぼゼロになるため、スマートフォンをはじめとしたモバイル機器での大きな活躍を見込むことができます。

詳細は以下から。
エルピーダ、シャープや東大らと次世代メモリー開発 - MSN産経ニュース

産経新聞社の報道によると、エルピーダメモリとシャープ、東京大学などが書き込み時間を大幅に短縮できる不揮発性の「次世代メモリー」を共同開発することが明らかになったそうです。

開発が開始されるのは電圧でデータを書き換えるため電流が微量で済み、消費電力が小さいとされる抵抗変化型メモリー「ReRAM」で、携帯情報端末などに用いられているNAND型フラッシュメモリの約1万倍の速さで情報を書き込むことができるとのこと。

実用化されれば携帯電話でフルハイビジョンの映画を数秒でダウンロードすることができるだけでなく、待機時の使用電力もほぼゼロになるとされています。

今後はシャープが進めてきた「ReRAM」の材料技術や製造方法の研究にエルピーダのメモリー加工技術を組み合わせる形で開発が始められ、独立行政法人の産業技術総合研究所、半導体製造装置メーカーも参加。2013年にも量産化を開始し、実用化を目指すそうです。

なお、「ReRAM」は比較的単純な構造のためセル面積が小さく、高密度化が可能である上に、多値化も容易であるとされているため、高速なデータ転送速度に加えて、低コスト化や大容量化なども期待できるという大きなメリットを備えています。