2008年02月07日 16時52分00秒
東芝、最先端の43nmプロセスを用いたNAND型フラッシュメモリを開発
現在アメリカのサンフランシスコで行われている半導体の国際学会ISSCCで、東芝が最先端の43nmプロセスを用いた大容量NAND型フラッシュメモリを開発したことを発表したそうです。
一般的に製造プロセスが小さくなると、製造コストや消費電力が下がるほか、同じ面積でより多くのチップを搭載できるようになるというメリットがありますが、どうやらこのプロセスを採用したNAND型フラッシュメモリの登場で、より高容量で安価なSSDなどが市場に出回るようになるということのようです。
詳細は以下から。
４３ｎｍプロセスを用いたＮＡＮＤ型フラッシュメモリの開発について
このリリースによると、今回東芝が発表した43nmプロセスを用いたNAND型フラッシュメモリは、1チップで16ギガビット（2GB）の大容量メモリだそうです。
そしてメモリセル数や周辺回路、電源配線などの設計を見直したことによって面積効率が向上し、従来の56nm世代の同容量製品と比較してチップ面積を30％削減することに成功したとのこと。
なお、このメモリは3月から量産が開始され、今年7月以降には容量を2倍に高めた32ギガビットモデルの量産も開始するとしています。
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