Intel、SSDなどの記録容量を大きく引き上げる技術を開発

IntelとMicronがSSDなどのフラッシュメモリ製品の記録容量を大きく引き上げる技術を開発したことを明らかにしました。

この技術を利用することで、SSDのコストパフォーマンスが改善することにもなりそうです。

詳細は以下から。
Intel, Micron Achieve Industry’s Most Efficient NAND Product Using 3-Bit-Per-Cell Technology

この記事によると、IntelとMicronの2社は共同でフラッシュメモリを大容量化する技術を開発したことを発表したそうです。

新たに開発された技術はフラッシュメモリのセルに1ビットのデータを記録するのではなく、複数のデータを記録できるMLC（マルチレベルセル）方式の技術を発展させたもので、従来は1つのセルに2ビットのデータを記録していたところに、3ビットのデータを記録できるようになるというもの。

これが新たに開発されたフラッシュメモリ

この技術により従来の1.5倍の高密度でデータを記録できるようになるため、コストパフォーマンスが飛躍的に向上することが見込まれており、さらに今後フラッシュメモリの製造プロセスを現行の34ナノメートルのものから20ナノメートル台にまで微細化することで、製造コストや消費電力が下がるほか、同じ面積でより多くのチップを搭載できるようになるため、将来的には高いコストパフォーマンスと大容量を兼ね備えたSSDが登場するということのようです。