中国のメモリ企業「CXMT」が4F²設計のデータセンター向けDDR5 RDIMMを2026年末までに発売すると発表、ブレイクスルー達成でライバルのMicron・SKハイニックス・Samsung株が急落

中国に拠点を置くメモリメーカーのCXMTが、既存のセル面積を理論上約3分の1削減する新しいアーキテクチャ「4F²」を用いた次世代メモリモジュールを2026年内に発売する予定だと明かしました。

突破壁垒！长鑫 4F² 架构落地在即，发力高端服务器内存市场
https://www.yicai.com/news/103388707.html

Chinese Memory Maker's Tech Claim Sinks Samsung, SK hynix Shares - Seoul Economic Daily
https://en.sedaily.com/international/2026/10/13/chinese-memory-makers-tech-claim-sinks-samsung-sk-hynix

CXMT's new DRAM tech to test Korean memory makers' dominance - The Korea Times
https://www.koreatimes.co.kr/business/tech-science/20261013/cxmts-new-dram-tech-to-test-korean-memory-makers-dominance

CXMT president says company’s first 4F² DRAM will be a server DDR5 RDIMM due by year-end — vertical transistors cut each memory cell’s footprint by a third on paper, but no speeds or capacities yet | Tom's Hardware
https://www.tomshardware.com/pc-components/dram/cxmt-president-says-companys-first-4f2-dram-will-be-a-server-ddr5-rdimm-due-by-year-end-vertical-transistors-cut-each-memory-cells-footprint-by-a-third-on-paper-but-no-speeds-or-capacities-yet

メモリセルを小型化するためには、トランジスタを水平方向ではなく垂直方向に配置するといった技術的なブレイクスルーが必要とされていました。

4F²アーキテクチャは垂直方向に配置する設計で、商用DRAMチップで広く使用されている6F²アーキテクチャと比較して、メモリセルの面積を削減しています。セル面積だけで見ると、各セルのサイズは約3分の1削減され、理論的には全体で50％多くのセルを搭載することが可能になります。

CXMTはこの技術に関する研究と業界トップクラスとなる300件以上の特許出願を行っており、2021年、2023年、2025年には論文を発表しています。SamsungやSKハイニックスも垂直配置のトランジスタ開発を進めていますが、Samsungでさえ量産化体制の目標を2028年に据えており、CXMTは2年も先行していることになります。

今回の発表を受け、SamsungとSKハイニックスの株価が7％以上急落しました。Micronの株価も4％程度下がりました。

CXMTの曹堪宇(Cao Kanyu)社長は、4F²アーキテクチャの第1世代製品としてDDR5 RDIMM(レジスタード・デュアル・インライン・メモリ・モジュール)を位置付け、この技術を用いてサーバーメモリ分野の技術的・工学的なボトルネックに対応する方針を示しました。

中国メディアの第一財経によると、サーバー向けメモリ市場では海外のメーカーの優位性が目立ったため、CXMTはこれまで家電市場に注力していたとのこと。

ソウル経済日報は「CXMTが、これまで注力してきた低消費電力DRAMではなく、まずサーバー用DRAMにこの技術を適用するという決定は、韓国の半導体メーカーに対する真正面からの挑戦を意味します」と報じました。

一部のアナリストは、量産開始が2026年だとしても、量産体制が安定するまでには相当な時間がかかるだろうとみています。