世界初の10nmプロセスで製造される次期ハイエンドSoC「Snapdragon 835」は前モデル比で20％高速化・35％小型化・25％省電力化

世界最大級のIT・家電見本市「CES 2017」に合わせてQualcommが次期ハイエンドSoC「Snapdragon 835」を発表しました。Snapdragon 835の登場で、スマートフォンはより高速になりバッテリー寿命がアップし、フルスペックのWindows 10を動かせる省電力なARM版モバイルPCの登場も期待できそうです。

Qualcomm Snapdragon 835 Mobile Platform to Power Next-Generation Immersive Experiences | Qualcomm
https://www.qualcomm.com/news/releases/2017/01/03/qualcomm-snapdragon-835-mobile-platform-power-next-generation-immersive

Snapdragon 835 Processor | Qualcomm
https://www.qualcomm.com/products/snapdragon/processors/835

Snapdragon 835はCPUコア「Kryo 280」を8つ搭載するオクタコア。4つのKryo 280を1つのクラスタとして制御するデザインで、1.9GHzの省電力コアと2.45GHzの高速コアを組み合わせるbig.LITTLE構成を採用することで、Snapdragon 820比で20％の速度アップを実現しているとのこと。また、新GPU「Adreno 540」によってグラフィック性能はSnapdragon 820比で25％アップし、OpenGL ES 3.2・OpenCL 2.0・Vulkan・OpenCL 2.0・DirectX 12をサポートし、4K/60fpsのムービー再生も可能。

また、世界で初めて10nm FinFETプロセスで製造される製品になる見込みで、パッケージサイズはSnapdragon 820から35％も小さくなり、消費電力も25％カットされるとのこと。省電力性もさることながらパッケージサイズ自体が小さくなるのでバッテリースペースを大きくとることで、スマートフォンの連続稼働時間が延びることになりそうです。

その他にもSnapdragon 835は最大ダウンロード速度1GbpsのX16 LTEモデムを内蔵し、オプションで802.11adにも対応。Snapdragon 820に比べてモデムチップサイズは50％小さくなり、消費電力も最大60％削減しています。また、3200万画素のシングルカメラと1600万画素のデュアルカメラをサポートし、HDR10のムービーにも対応します。そして、急速充電規格もQuick Charge4に進化し、充電時間はQuick Charge3.0から20％高速化を実現しているとのこと。さらには、ARM版Windows 10端末への採用も決まっており、いよいよノートPCにSnapdragon 835が採用されることになりそうです。

世界初の10nm FinFETプロセス採用のSnapdragon 835はSamsungが製造を担当。2017年前半にSnapdragon 835を採用した製品が市場に投入される予定です。

・おまけ
中国のSNS微博(ウェイボー)経由で、Snapdragon 835を搭載するXiaomiの次期ハイエンドスマートフォン「Mi 6(仮称)」と思われる端末のAntutuスコアがリークしています。このリーク情報が正しければ、Snapdragon 835のAntutu総合スコアは21万オーバーということで、事前の予想通りiPhone 7/7 PlusのA10チップを上回る性能を持つ高性能SoCとなりそうです。