Samsungが第3世代10nmプロセスを採用したモバイル向け16Gb LPDDR5 DRAMの大量生産をスタート

Samsungが同社の第3世代10nmプロセスを採用したモバイルデバイス向けの16Gb(ギガビット) LPDDR5 DRAMの量産をスタートしたと発表しました。

Samsung Begins Mass Production of 16Gb LPDDR5 DRAM at World’s Largest Semiconductor Line – Samsung Global Newsroom
https://news.samsung.com/global/samsung-begins-mass-production-of-16gb-lpddr5-dram-at-worlds-largest-semiconductor-line

Samsung starts mass producing 16Gb LPDDR5 DRAM chips at Pyeongtaek plant - SamMobile
https://www.sammobile.com/news/samsung-starts-mass-production-16gb-lpddr5-dram-chips-pyeongtaek-line-2/

Samsungが新たに量産をスタートしたのは、EUVリソグラフィを採用した採用した第3世代10nmプロセスの16Gb DRAMチップ。同社の公式発表によると、この16Gb DRAMチップはモバイルメモリ容量だけでなくパフォーマンスも兼ね備えており、データ転送速度は今日の主力モバイルデバイスに搭載されている12Gb LPDDR5 DRAMチップに比べて16％高速の6400Mbpsに達しているとのこと。16Gb LPDDR5×8チップで構成される16GBパッケージを搭載したデバイスでは、51.2GBのデータを1秒で転送することが可能になるそうです。

さらに、同社の第2世代10nmプロセスを採用した従来品に比べて、この16Gb LPDDR5チップは第3世代10nmプロセスによって30％減という省スペース化も達成しているとのこと。このLPDDR5 DRAMチップは車載デバイス用にも使われる見込みで、Samsungは「過酷な環境を想定した温度範囲と信頼性基準を提供する」としています。Samsungは新たな16Gb LPDDR5チップを量産することで、2021年の主力モバイルデバイス市場での存在感をさらに強化する予定だと記しています。

この16Gb LPDDR5チップの製造には、半導体製造ラインとして最大級となる12万8900平方メートルに及ぶ平澤工場の第2生産ラインが当てられます。この平澤工場第2生産ラインは、業界最先端の半導体技術の主要製造ハブとして機能し、最先端のDRAMだけでなく次世代V-NANDやファウンドリソリューションの製造にも使われる予定とのこと。

SamsungのDRAMプロジェクト＆テクノロジー部門のバイスプレジデントを務めるJung-Bae Lee氏は、「新たな第3世代10nmプロセスの16Gb LPDDR5は、先進ノードにおけるDRAMのサイズの問題を克服し、業界を新たな敷居に引き上げるものです。弊社はメモリ市場全体の成長を率いながら、プレミアムDRAMのラインアップを拡充し、顧客の需要を超え続ける予定です」と語っています。