大容量で安価なiPhoneやSSDへの布石か、Intelが世界初の25nmプロセスを採用したNANDフラッシュメモリを発表

IntelとMicronが25nmプロセスを採用した世界初のNANDフラッシュメモリを発表しました。

製造プロセスが微細化されたことによって1チップで8GBという大容量を実現しており、SSDなどのフラッシュメモリ製品やiPhoneをはじめとしたスマートフォン、音楽プレーヤーなどを従来よりも高いコストパフォーマンスで大容量化できることなどが見込めます。

詳細は以下から。
インテルとマイクロン、半導体業界最小最先端の 25nm プロセス技術による NAND 型フラッシュメモリーを発表

このリリースによると、IntelとMicron Technologyは、世界初となる25nm（ナノメートル）プロセス技術を採用したNANDフラッシュメモリを発表したそうです。サンプル出荷は現地時間の2月1日より開始され、量産出荷は2010年第2四半期（4～6月）になる予定。

新たに開発されたフラッシュメモリは1チップに8GBの容量を実現したモデルで、面積はコンパクトディスクの中央の穴よりも小さい167平方ミリメートルとなっており、これまでのプロセス技術に比べてチップ数を50％削減可能とのこと。

そしてこのフラッシュメモリを搭載することで、携帯音楽プレーヤーやメディアプレーヤー、スマートフォン、SSD（ソリッド・ステート・ドライブ）などを従来よりも高いコストパフォーマンスで大容量化できるとされています。

ちなみに量産品の出荷が2010年第2四半期になるということは、例年通りであれば新型iPhoneの発売時期と重なることになりますが、第4世代となる新型iPhoneは従来以上に大容量のフラッシュメモリを搭載したモデルとなるのでしょうか。

任天堂が開発中であるとされる次世代「ニンテンドーDS」やソニーの「次世代PSP」などの記録媒体としての採用や、転送速度と耐久性に定評があるIntelのハイエンドSSDの大容量化にも期待したいところです。